来源:本站原创 日期:2016-01-19 16:17:45 点击:52
答:①高电位的反击和大电流导入的问题: 雷击避雷针后,雷电流流过引下线时各点的电位:U = IRg + L0h 雷电流幅值I="100kA"; 引下线单位长度电感L0=1、67μH/m; 接地装置的冲击接地电阻Rg="10"Ω; 雷电流陡度 = kA/μs="38"、46kA/μs; 假设高度h="30m",则 U="IRg"+L0h =100×103×10 + 1、67×10-6×30×38、46×109 = 1000 + 1927 (kV) = 2927 (kV) 即使接地装置的接地电阻Rg = 0Ω, U = L0h = 1、5×10-6×30×38、46×109 = 1927 (kV) ②雷击避雷针的电磁效应 雷击避雷针时,附近导线的感应过电压避雷针上各点(N点)的电位: uN = IR + L0h 设L0=1、67μH/m,h="20m",R="10"Ω,I="100kA",t="2"、6μs, uN = IR + L0h =100×10+ (1、67×20× ) ≈2285(kV) 沿针体存在的高电位引影响下,其附近的线路上的静电感应过电压: uj= uN 同时针附近的金属开口环的开口处有电磁感应过电压: uCI = M = 0、2c(ln ) 当a="b"=1m,c="10m", I="100kA"时, uCI = 0、2c(ln ) = (0、2×10×ln2)× ≈ 53、3(kV) 雷击避雷针,雷电流入地处的地电位升高,引下线周围空间形成强烈的电磁脉冲。雷击点附近的通讯线路、信号控制线路、射频传输线路会通过反击和电磁耦合的方式,形成暂态过电压,并以雷电波的形式沿线路传播,危害电子设备。 ③附近雷击时的环境情况 LPZ0区内的磁场强度 H0 = (A/m) i0 – 雷电流(kA),通信局(站)取100kA; Sa – 雷击点与屏蔽空间之间的平均距离 (m) ; LPZ1区内的磁场强度从H0减为H1 H1 = (A/m) SF – 屏蔽系数(dB) 微电子设备的工作电压不到10伏,工作电流只有数毫安或微安。 美国AD报告(AD-722675): 永久性损坏—2、4Gs(1、2Gs);误动—0、07Gs (0、035Gs) B = = ×104 (Gs) B1 = 2、4Gs时,Sa = 83m;B2 = 0、07Gs时,Sa = 240m 结论:对于雷电感应,采用等电位连接的方式、有效地限制雷电流的幅值和陡度,才能降低雷击后的高电位大电流、强烈的电磁脉冲等二次效应。